迈向超高效率激光功率转换器的新途径:碳化硅器件
长三角G60激光联盟导读据悉，西班牙圣地亚哥联合大学、哈恩大学科研人员报道了首次将高带隙材料的使用和VEHSA结构这两种改进高功率激光传输技术的策略结合起来，开辟了迈向超高效率激光功率转换器的新途径。相关研究以“A new path towards ultra-high efficient laser power converters: Silicon carbide-based multijunction devices”为题发表在《Resu...
2024.03.28
激光在碳化硅半导体晶圆制程中的应用你都知道哪些？
尤为突出的是近年来兴起且不断壮大的新能源汽车行业，预估2025年中国新能源汽车年产近600万辆，对功率芯片的需求为1000-2000颗/台车，其中超过50%为碳化硅芯片。 在激光与碳化硅材料的相互作用中，连续激光、长脉冲激光甚至纳秒级的短脉冲激光与材料发生反应是以热效应为主，其加工原理是高功率密度的激光束聚焦在材料表面进行加热、熔化处理。而皮秒、飞秒超短脉冲激光聚焦在材料表面是以材料等离子化去除为主，属于非传统意义上的冷加工处理。 在碳化硅半导体晶圆的后道制程中，需要进行...
2024.02.02
上海光机所魏朝阳研究员团队在碳化硅表面飞秒激光改性提升抛光效率研究方面取得进展是怎么回事？
近期，中国科学院上海光学精密机械研究所精密光学创造与检测中心实验室魏朝阳研究员团队在碳化硅表面飞秒激光改性提升抛光效率研究方面取得发展。研究发现通过飞秒激光对预涂有Si粉的RBSiC表面进行改性，能够获得结合强度为55.46 N的表面改性层。且改性后的RBSiC的表面仅经过4.5小时的抛光，即可得到表面粗糙度Sq 为4.45 nm的光学表面，与直接研磨抛光相比，抛光效率提高了3倍以上。该研究成果拓展了RBSiC的表面改性方法，并且激光的可控性和该方法...
2023.07.04
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上海光机所魏朝阳研究员团队在碳化硅表面飞秒激光改性提升抛光效率研究方面取得发展是怎么回事？
近期，中国科学院上海光学精密机械研究所精密光学创造与检测中心实验室魏朝阳研究员团队在碳化硅表面飞秒激光改性提升抛光效率研究方面取得发展。研究发现通过飞秒激光对预涂有Si粉的RBSiC表面进行改性，能够获得结合强度为55.46 N的表面改性层。且改性后的RBSiC的表面仅经过4.5小时的抛光，即可得到表面粗糙度Sq 为4.45 nm的光学表面，与直接研磨抛光相比，抛光效率提高了3倍以上。该研究成果拓展了RBSiC的表面改性方法，并且激光的可控性和该方法...
2023.07.04
安森美的EliteSiC碳化硅系列方案带来领先业界的高能效
新的1700 V EliteSiC器件在能源基础设施和工业驱动应用中实现可靠、高能效的工作 2023年1月4日 — 领先于智能电源和智能感知技术的安森美(onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON)，宣布将其碳化硅(SiC)系列命名为“EliteSiC”。在本周美国拉斯维加斯消费电子展览会(CES)上，安森美将展示EliteSiC 系列的3款新成员：一款1700 V EliteSiC MOSFET和两款1700 V雪崩EliteSiC肖特基二极管。这些新的器件为...
2023.01.06
