三星电子瞄准能效优势，计划在HBM4内存中采用1c nm制程DRAM裸片

5月17日消息，据韩媒ZDNet Korea报道，三星电子正考虑在下一代HBM4内存中采用先进的1c nm制程DRAM芯片，以增强其产品的能效竞争力。

今年年初，三星电子的代表在Memcon 2024行业会议上透露，公司有望在年底前实现1c nm工艺的大规模生产。对于HBM4，三星预计将在明年完成这款新型AI内存的研发工作，并计划在2026年投入量产。

据ITBEAR科技资讯了解，三星电子在目前已经量产的HBM3E内存中并未采用与竞争对手SK海力士和美光相同的1b nm制程DRAM裸片，而是选择了相对落后的1a nm颗粒，这使得其产品在能耗方面相较于竞品存在一定的劣势。这一现状被知情人士视为三星决定在HBM4中引入1c nm DRAM颗粒的关键因素。

在半导体制造业中，同一制程技术的首批DRAM产品通常是针对桌面和移动设备的标准DDR/LPDDR产品。只有当这项技术成熟稳定后，才会被应用到高价值但良率较低的HBM内存中。

此外，有相关人士透露，三星电子HBM业务部门的高层和工作组计划缩短HBM4的开发周期，以满足AI处理器厂商对高性能内存的需求。然而，这种加速研发的策略可能会增加生产过程中的良率风险。

目前在HBM内存市场占据领先地位的SK海力士也表达了在HBM4E上采用1c nm制程的意向，但具体使用哪种制程的DRAM尚未正式确认。