SK海力士或将采用1c nm工艺，HBM4E内存容量有望进一步跃升

5月14日消息，近日，SK海力士在2024年度IEEE IMW国际存储研讨会上宣布了关于HBM4E内存的重要进展。据SK海力士技术人员Kim Kwi Wook透露，该公司计划采用1c nm工艺的32Gb DRAM芯片来构建新一代的HBM4E内存，并且预期该内存的开发周期将缩短至一年。

这一消息无疑为科技界带来了新的震动。目前，全球三大内存制造商尚未开始大规模生产1c nm(第六代10+nm级)DRAM内存颗粒。然而，SK海力士已经走在了前面，计划在今年内实现1c nm DRAM的量产，与三星电子一同领跑新一代内存技术的竞赛。美光科技则稍显落后，预计要到明年才能实现量产。

新一代1c nm DRAM颗粒有望在存储密度和能效方面带来显著的改进。目前，SK海力士在HBM3E内存中主要使用的是1b nm工艺的DRAM颗粒。虽然该公司尚未确认HBM4是否会采用更新的DRAM裸片制程，但韩媒The Elec近日的报道指出，SK海力士已经将HBM4的量产时间提前到了2025年下半年，因此继续使用1b nm颗粒可能更符合其研发进度。

据ITBEAR科技资讯了解，目前主流的HBM3E产品通常采用24Gb DRAM颗粒，这使得在8层堆叠的情况下，HBM3E内存的单堆栈容量可以达到24GB。若采用12层堆叠设计，其堆栈容量更可提升至36GB。随着HBM4E内存升级到32Gb DRAM裸片，12层堆叠的版本有望实现48GB的单颗容量，而16层版本甚至可能达到64GB的超大规模，这将为人工智能等应用提供更多可能性。

Kim Kwi Wook预测，相比HBM4，HBM4E内存将在带宽上提升40%、密度提升30%，同时能效也将提高30%。然而，在谈到键合技术时，他表示混合键合仍然面临着良率问题，因此SK海力士在下一代HBM4产品中采用混合键合技术的可能性并不大。

随着技术的不断进步和市场的日益竞争，各大内存制造商都在积极寻求突破和创新。SK海力士的这一新动向无疑为整个行业带来了新的挑战和机遇。我们期待这一技术在未来能够为更多领域带来革命性的变革。