研究人员预计EUV光刻市场将从2023年的94亿美元增至2028年的253亿美元不该存在的秘密是什么？

　　研究人员预计2023-2028 年期间。EUV 光刻将解决传统光学光刻的局限性，传统光学光刻在分辨率方面已达到其物理极限。EUV 光的波长较短，可以在硅晶圆上创建更小的特征和更紧密的图案，从而能够制造具有更大晶体管密度的先进微芯片。

　　EUV 光刻的关键组件是 EUV 光源，它涉及生成和操纵 13.5 nm 的高能光。这是通过使用激光从锡滴中产生等离子体来实现的，锡滴会发射极紫外辐射。然后，使用一系列精确设计的镜子反射和聚焦 EUV 光，将所需的图案转移到涂有称为光致抗蚀剂的光敏材料的硅晶片上。

　　与以前的光刻技术相比，EUV 光刻具有多种优势。首先，它可以显着提高芯片密度，从而能够生产更强大、更复杂的 IC。

　　其次，它通过减少图案转移所需的步骤数量来简化制造工艺，提高生产效率。最后，EUV光刻可以更好地控制关键尺寸并减少图案变异性，从而提高芯片性能和产量。

　　EUV 光刻在高性能计算、人工智能和移动设备等各种应用的先进 IC 生产中发挥着关键作用。

　　预计代工厂在预测期内将以最高复合年增长率增长。

　　在商业领域，代工厂是专门为半导体公司和集成器件制造商（IDM）提供半导体制造服务的制造工厂。代工厂主要专注于半导体行业的制造过程，不从事芯片设计。

　　代工厂通过为缺乏自己的制造设施或选择外包芯片生产的公司提供制造服务，在半导体行业中发挥着至关重要的作用。

　　无晶圆厂公司和 ID 与代工厂合作，将其芯片设计（称为知识产权 (IP)）转移给代工厂进行制造。提供包括 EUV 光刻在内的半导体制造服务的著名代工厂包括台积电、GlobalFoundries 等公司、三星代工厂等。

　　晶圆代工公司的增长可归因于其对 EUV 光刻机的大量投资，其中亚太国家是 EUV 光刻机市场扩张和进步的主要贡献者。

　　在预测期内，EUV 掩模领域预计将以 EUV 光刻设备市场第二高的复合年增长率增长。

　　EUV 掩模，也称为 EUV 掩模版或 EUV 光掩模，在称为极紫外光刻 (EUVL) 的先进光刻工艺中发挥着至关重要的作用。EUV 光刻是一种最先进的技术，用于制造下一代新一代半导体器件的特征是更小的特征尺寸和增强的性能。

　　EUV 掩模通过包含在光刻过程中投影到晶圆上的电路图案，有助于半导体晶圆上的集成电路图案化。与旧式光刻技术中使用的传统光学掩模不同，EUV 掩模经过专门设计，可在波长约为 13.5 纳米的紫外线下发挥作用。它们由涂有多层反射材料的薄基板组成，有助于将 EUV 光反射并聚焦到晶圆上，从而实现精确和高分辨率的图案化。EUV掩模的复杂结构涉及先进的制造技术和严格的质量控制措施，以确保电路图案的准确性和可靠性。多家公司涉足 EUV 掩模及相关产品的制造，

　　在预测期内，亚太地区预计将以最高的复合年增长率增长。

　　中国台湾拥有台积电 (TSMC) 等领先的半导体公司，台积电是全球最大的专用半导体代工厂。台积电一直处于采用和推进 EUV 光刻技术的前沿，能够生产更小尺寸的先进芯片尺寸和更高的性能。

　　该公司对 EUV 基础设施进行了大量投资，并在推动 EUV 光刻系统的开发和商业化方面发挥了重要作用。凭借其强大的半导体生态系统和对技术创新的承诺，台湾在提高 EUV 光刻的能力和广泛采用方面发挥着至关重要的作用在半导体行业。

　　一些公司在EUV光刻技术和系统上进行创新。例如，2020年8月，台积电开发出全球首个EUV光罩环保干洗技术，旨在取代传统清洁工艺。