硅上MOCVD中长波长红外量子级联激光器不该存在的秘密是什么？

　　美国研究人员报告了通过 MOCVD 在硅 (Si) 上生长的 8.1 μm 波长量子级联激光器 (QCL) [S. 徐等人，应用。物理。快报，v123，p031110，2023]。来自威斯康星大学麦迪逊分校、伊利诺伊大学厄巴纳-香槟分校和 MicroLink Devices Inc 的团队评论道：“之前没有关于通过金属有机化学气相沉积 (MOCVD) 在硅基板上生长 QCL 的报道。” 　　这种硅上的集成可能会导致芯片级、可靠且可大规模生产...

2023.08.04